空位和B、N、Al、P掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响

肖永欣; 胡功臣; 徐庆强

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空位和B、N、Al、P掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响

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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B、N、Al、P掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响,结果表明:Li原子在完整石墨烯上吸附的稳定位置为心位,吸附高度在覆盖度低于1/40 ML时趋于恒值；B、N、P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易；杂质类型对Li在石墨烯上的吸附位置有显著的影响；空位和B、Al、P替位掺杂均加强了Li在石墨烯上的吸附,Al替位掺杂对Li在石墨烯上吸附的影响相对较大；Al、P掺杂改变了Li的稳定吸附位置(由心位移到顶位)；Li在空位缺陷和N掺杂石墨烯上吸附后,两体系具有磁性,Li吸附在B-graphene、Al-graphene、P-graphene体系磁矩为零,不显示磁性.

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来源
《淮阴工学院学报》 |2013年第1期|1-7|共7页
作者
肖永欣; 胡功臣; 徐庆强;
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作者单位

英利能源(中国)有限公司公共检测中心,河北保定071000;

江苏师范大学物理与电子工程学院,江苏徐州221116;

江苏师范大学物理与电子工程学院,江苏徐州221116;

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正文语种 chi
中图分类 O4.28;
关键词
石墨烯; 空位; 掺杂; 吸附; 第一性原理;

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