GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应

鲁明亮; 马丽娟; 陶永春

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GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应

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利用k·p微扰和多能带量子传输边界相结合,推导出自旋空间中的量子坐标轴变换矩阵,以及空穴透过GaMnAs/AlAs/GaMnAs/AlAs/GaMnAs双势垒铁磁半导体(FS)隧道结的透射系数和磁致电阻(TMR)理论公式.计算了重空穴和轻空穴透射系数随入射能量的变化,得到TMR与两层FS磁化方向夹角(θ)的关系.研究发现透射系数随着入射能量递增出现明显震荡,相对于非磁性半导体,轻空穴和重空穴透射系数的差值减小;与单势垒隧道结不同,双势垒隧道结中TMR和sin^(2)(θ/2)之间呈现出非线性关系.其结果对磁性半导体隧道结的研究具有一定的参考价值.

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来源
《淮阴师范学院学报（自然科学版）》 |2022年第3期|207-214|共8页
作者
鲁明亮; 马丽娟; 陶永春;
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作者单位

南京高等职业技术学校轨道交通学院;

南京师范大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.4;
关键词
铁磁性半导体; 隧道结; 磁致电阻;

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