热处理对以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响

聂国政; 唐京武; 许英

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热处理对以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响

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采用阳极氧化法制备了Al2O3绝缘材料,并制备了以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件(OTFT).Al2O3绝缘层经过10min 350℃氢热处理后,OTFT迁移率比未经氢热处理的增大近20倍,且阈值电压降到了-7V.Al2O3膜MIS结构电容—电压(C-V)特性的平带电压平移量数据表明,Al2O3膜经过热处理后,并五苯半导体与Al2O3绝缘体界面处以及绝缘体内缺陷态密度显著地降低,Al2O3绝缘层和并五苯半导体层之间的接触得到改善,这使得经热处理Al2O3膜的OTFT器件性能得到显著的改善.

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来源
《湖南文理学院学报（自然科学版）》 |2016年第1期|15-18|共4页
作者
聂国政; 唐京武; 许英;
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作者单位

湖南科技大学物理与电子科学学院,湖南湘潭,411201;

湖南科技大学物理与电子科学学院,湖南湘潭,411201;

湖南科技大学物理与电子科学学院,湖南湘潭,411201;

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正文语种 chi
中图分类 TN321.5;
关键词
有机薄膜晶体管; 阳极氧化Al2O3绝缘层; 热处理;

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