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吕业刚; 刘宏贵;
湖南科技学院,物理与电子工程系,湖南,永州425100;
衡阳县第五中学,湖南,衡阳421236;
铁电薄膜; PZT; 外加应力; 失配应变; 相变;
机译:外延Pb(Zr1-xTix)O-3薄膜的各向异性平面失配应变与相图和介电行为的关系
机译:弹性柔量和高阶Landau系数对单畴外延Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜相图的影响
机译:制备条件对(001)SrTiO3上外延(PbMg1 / 3Nb2 / 3O3)0.67-(PbTiO3)0.33薄膜的相形成和性能的影响
机译:溶胶-凝胶法制备的梯度Pb(Zr1-xTix)O3薄膜的介电和热电性质
机译:溅射沉积外延(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-- xPbTiO3薄膜的结构性质关系。
机译:拉伸应力对在KTaO3上生长的BiFeO3外延薄膜的影响
机译:单畴外延Pb(Zr1-xTix)O3薄膜的相图和物理性质
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:PB(ZR1-XTIX)03(PZT)铁电薄膜的制造方法
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