有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收

张立

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有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收

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采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式.以AlN/GaN/AlxGa1-xN/AlN阶梯量子阱为例进行了数值计算.结果发现阶梯量子阱的阱宽Lw、阶梯垒宽Lb、阶梯垒的掺杂浓度x的减小将提高体系的吸收系数.而且,随着LwLb和x减小,吸收光子的能量有明显的蓝移,总吸收系数的半宽度及饱和吸收强度均减小.计算获得的部分结果与最近的实验观察完全一致.

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来源
《红外与毫米波学报》 |2015年第5期|538-544|共7页
作者
张立;
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作者单位

广州番禺职业技术学院电子技术与材料开发研究所,广东广州511483;

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正文语种 chi
中图分类量子光学;
关键词
密度矩阵方法; 吸收系数; 内电场;

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