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杨格亮; 王志功; 李智群; 李芹; 刘法恩; 李竹;
东南大学射频与光电集成电路研究所,江苏南京210096;
毫米波; 宽带; 互补金属氧化物半导体(CMOS); 共栅; 低噪声放大器(LNA); 集成电路(IC);
机译:具有共栅输入级的低功耗3.1-10.6 GHz超宽带CMOS低噪声放大器
机译:利用降噪技术设计低功耗CMOS超宽带低噪声放大器
机译:采用0.18μmCMOS技术的低功耗超宽带低噪声放大器
机译:采用0.18µm CMOS工艺的3-7 GHz低功耗宽带共栅低噪声放大器
机译:超宽带CMOS低噪声放大器设计。
机译:用于CMOS图像传感器应用的全耗尽沟槽固定光敏栅
机译:UltraLow-Power超宽带(5GHz-10GHz)低噪声放大器的设计在0.13μmCMOS技术中
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:包括共栅的CMOS薄膜晶体管,包括该CMOS薄膜晶体管的逻辑器件以及制造该CMOS薄膜晶体管的方法
机译:CMOS毫米波可变增益低噪声放大器
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