静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光

著录项

• 来源
  《红外与毫米波学报》 |2004年第1期|38-42|共5页
• 作者

  方再利; 苏付海; 马宝珊; 丁琨; 韩和相; 李国华; 苏萌强; 葛惟锟;

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• 作者单位

  中国科学院半导体研究所,半导体超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

  中国科学院半导体研究所,半导体超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

  中国科学院半导体研究所,半导体超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

  中国科学院半导体研究所,半导体超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

  中国科学院半导体研究所,半导体超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

  中国科学院半导体研究所,半导体超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

  香港科技大学物理系,香港;

  香港科技大学物理系,香港;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 非平衡载流子;
• 关键词

  光致发光; 流体静压; Te等电子陷阱; ZnS∶Te;