基于0.18-μm锗硅BiCMOS工艺的60 GHz匹配型高隔离小型化变压器巴伦

张大为; 徐鑫; 李斌; 徐辉; 于洪喜; 李军; 马凯学; THANGARASU Bharatha Kumar; YEO Kiat Seng

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介绍了一种工作在60 GHz频率的具有输出端口间高隔离和全端口匹配特性的小型化变压器巴伦芯片,该芯片采用0.18-μm锗硅BiCMOS工艺设计并加工。通过在60 GHz变压器巴伦的输出端口之间引入隔离电路,提高巴伦的隔离度性能并改善输出端口匹配性能;在此基础上,提出了一种基于左手材料传输线的隔离电路,能大大改善传统隔离电路中分布式传输线尺寸大的问题;为了进一步实现巴伦的小型化,在设计中采用了负载电容补偿技术,同时能改善变压器巴伦输入端口的匹配性能。设计的巴伦芯片经过电磁场仿真,其结果与在片测试结果有较高的一致性,验证了提出的设计方法,设计的巴伦芯片具有全端口匹配和输出端口间高隔离度的特性。基于实测结果,在60 GHz频率处,设计的巴伦芯片实现了超过25 dB的输出端口隔离度和优于18 dB的输出端口回波损耗,且占用尺寸极小,仅为0.022 mm^(2)。

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来源
《红外与毫米波学报》 |2022年第1期|299-304|共6页
作者
张大为; 徐鑫; 李斌; 徐辉; 于洪喜; 李军; 马凯学; THANGARASU Bharatha Kumar; YEO Kiat Seng;
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作者单位

中国空间技术研究院西安分院微波技术研究所;

天津大学微电子学院;

新加坡科技设计大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
变压器巴伦; 隔离电路; 60 GHz; 左手材料传输线;

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