利用13.56MHz射频PECVD技术高速沉积器件级质量的μc-Si:H薄膜材料

周炳卿; 周培勤; 赵凤岐

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利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)技术,高速沉积器件级质量的微晶硅(μc Si:H)薄膜,研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率的影响.通过选择适当的沉积参数,得到了沉积速率为0.3～0.4nm/s的μc Si:H薄膜材料,薄膜的暗电导为10-7S/cm量级,光电导与暗电导之比近似为2个量级,电导激活能为0.52eV左右.所得的μc Si:H薄膜材料稳定性好,达到了器件级质量.

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来源
《内蒙古师范大学学报：自然科学版》 |2004年第3期|232-236|共5页
作者
周炳卿; 周培勤; 赵凤岐;
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作者单位

内蒙古师范大学物理与电子信息学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
微晶硅薄膜; 等离子体增强化学气相沉积; 高速沉积; 射频; 薄膜太阳电池;

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