随杂质位置的变化异质结中的束缚极化子的性质

刘佳; 肖景林

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本文对GαAs/AlxGα1-xAs异质结,采用三角势近似异质结势,考虑外界恒定电场以及体纵光学声子和两支界面光学声子的影响,应用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用和杂质-声子相互作用,计算了极化子结合能随电场强度、杂质位置和电子面密度的变化关系.结果表明:结合能随电场的增强而缓慢增大.IO声子对结合能的负贡献受电子面密度的影响显著增加,LO声子的负贡献相对IO声子贡献较小.另外,三角势的选取说明,导带弯曲引起的势垒变化不容忽视.还须指出的是,电子像势对结合能的影响很小,可以忽略.

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来源
《内蒙古民族大学学报：自然科学版》 |2006年第3期|260-263|共4页
作者
刘佳; 肖景林;
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作者单位

内蒙古民族大学物理与机电学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类凝聚态物理学;
关键词
半导体异质结; 极化子; 结合能; 三角势近似; 电子面密度;

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