热处理过程中纳米非晶Si—N—C粉的晶化及微结构变化研究

李亚利; 梁勇

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本文在１４７３～１９７２Ｋ温度范围内对激光合成的、平均粒径为３０ｎｍ的非晶Ｓｉ－Ｎ－Ｃ粉进行热处理（ｌａｔｍ．Ｎ２，１ｈ）；研究了粉体的晶化及微结构变化，结果表明，纳米非晶Ｓｉ－Ｎ－Ｃ粉具有短程有序的亚稳结构，此亚稳结构在＞１５２３Ｋ发生稳定团相分离，在１７７３Ｋ开始形成α－Ｓｉ３Ｎ４；β－ＳｉＣ，此时粒子间出现明显的表面扩散形成粒子簇；到１８７３Ｋ晶化加剧，α－Ｓｉ３Ｎ４和β－ＳｉＣ明显增多，并有少量的石墨碳形成。在１７７３～１８７３Ｋ，由固相分离形成α－Ｓｉ３Ｎ４／β－ＳｉＣ纳米复合结构。

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来源
《无机材料学报》 |1996年第1期|162-166|共5页
作者
李亚利; 梁勇;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TQ174.758;
关键词
热处理; 晶化; 纳米粉; 氮化硅; 复合陶瓷; 碳化硅;

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