掺镁钛酸锶(SrTiO_3)陶瓷的导电机理研究

周晓华; SφrensenO.Toft; 曹全喜; 徐毓龙

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本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系．在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol％，所有样品均在20～900℃的温度区间和3．8×10－4～2．6×10－1atm的氧分压范围被测试．结果表明，所有样品均呈现p型半导体的导电特征，样品在不同温度下的关系中的m与镁的含量和温度有关．根据X光衍射图和缺陷化学理论，实验结果得到适当的解释．

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来源
《无机材料学报》 |1999年第6期|927-932|共6页
作者
周晓华; SφrensenO.Toft; 曹全喜; 徐毓龙;
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作者单位

西安电子科技大学技术物理系;

丹麦Risφ国家实验室材料研究部;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TQ174.758;TM283.014;
关键词
钛酸锶陶瓷; 缺陷; 电导率; 陶瓷; 掺镁;

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