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热等静压烧结制备细晶粒 Ce,Y:SrHfO_(3) 闪烁陶瓷

         

摘要

Ce:SrHfO_(3)陶瓷因具有高密度和高有效原子序数,对高能射线具有很强的阻止能力。同时,Ce:SrHfO_(3)陶瓷还具有快衰减和高能量分辨率等优异的闪烁性能,引起了研究人员的广泛关注。由于传统的烧结方法难以实现非立方结构Ce:SrHfO_(3)陶瓷的透明化,本研究采用真空长时烧结和短时真空预烧结合热等静压烧结(Hot Isostatic Pressing,HIP)方法制备Ce,Y:SrHfO_(3)陶瓷。以金属氧化物和碳酸盐为原料,1200℃下煅烧8 h可以获得平均粒径为152 nm的纯相Ce,Y:SrHfO_(3)粉体。1800℃真空烧结20 h获得平均晶粒尺寸为28.6μm的不透明的Ce,Y:SrHfO_(3)陶瓷,而两步烧结法可以制备光学透过率良好的Ce,Y:SrHfO_(3)陶瓷。本研究详细分析了陶瓷致密化过程中微结构的演变,探究了预烧结温度对Ce,Y:SrHfO_(3)陶瓷密度、显微结构和光学透过率的影响。真空预烧(1500℃×2 h)结合HIP后处理(1800℃×3 h,200 MPa Ar)所获得的Ce,Y:SrHfO_(3)陶瓷在800 nm处的最高直线透过率为21.6%,平均晶粒尺寸仅为3.4μm。在X射线激发下,Ce,Y:SrHfO_(3)陶瓷在400 nm处产生Ce3+5d-4f发射峰,其XEL积分强度比商用锗酸铋(BGO)晶体高3.3倍,Ce,Y:SrHfO_(3)陶瓷在1μs门宽下的光产额约为3700 ph/MeV。良好的光学和闪烁性能可以拓宽Ce,Y:SrHfO_(3)陶瓷在闪烁探测领域的应用。

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