电镀法制备富集112Cd靶

著录项

• 来源
  《同位素》 |2021年第6期|503-508|共6页
• 作者

  高靖; 夏灵厅; 胡映江; 李飞泽; 兰图; 杨吉军; 廖家莉; 刘宁; 杨远友;

  展开▼
• 作者单位

  四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064;

  四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064;

  四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064;

  四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064;

  四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064;

  四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064;

  四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064;

  四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064;

  四川大学 原子核科学技术研究所 辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064;

  展开▼
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 放射性同位素的分离提取;
• 关键词

  富集112Cd靶; 电沉积; 靶厚; 产额;