元素掺杂对二维Ga_(2)O_(2)电子性质的影响

邵立; 谭雪卿; 李艳; 耶红刚

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元素掺杂对二维Ga_(2)O_(2)电子性质的影响

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基于密度泛函理论的VASP(Vienna ab-initio simulation package)软件包计算5种金属和非金属掺杂对二维Ga_(2)O_(2)晶体结构和电子性质的影响.结果表明:掺杂B,C,Mg,Si,P元素可使晶体结构发生改变,并改变掺杂体系的电子性质;与本征Ga_(2)O_(2)晶体相比,这几种掺杂元素体系的带隙均减小,这是由于掺杂原子与近邻原子间电荷重新分布所致.

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来源
《吉林大学学报（理学版）》 |2022年第2期|445-449|共5页
作者
邵立; 谭雪卿; 李艳; 耶红刚;
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作者单位

郑州航空工业管理学院材料学院;

西安交通大学应用物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料结构及物理性质;
关键词
密度泛函理论; 掺杂; 能带结构; 态密度;

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