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用XPS测量ZnS_(0.8)Te_(0.2)/G_aP半导体异质结的价带偏移

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应用Ｘ射线光电子能谱(ＸＰＳ）对分子束外延生长的ＺｎＳ(０．８)Ｔｅ(０．２)／ＧａＰ半导体异质结进行直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ；采用芯态能级技术法测量，得其价带偏移值为１．４５ｅＶ在测量误差范围内，两种方法测得的结果相一致．

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来源
《暨南大学学报：自然科学与医学版》 |1999年第3期|28-32|共5页
作者
孙汪典;
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作者单位

暨南大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
半导体; 异质结; 价带偏移; XPS; 锌硫碲化合物;

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