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用高频电容—电压法研究GD-a-Si:H的隙态密度

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用高频电容——电压法(H—C—V)研完了 GD—a—si∶H 的隙态密度,得到了平带到耗尽范围内的隙态密度分布,研究了 a—Si∶H 的电子亲和势 qx_a=3.35ev 及 a—Si∶H/n—C—Si 异质结能带图.

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来源
《兰州大学学报：自然科学版》 |1989年第4期|41-49|共9页
作者
王印月; 胡著华; 陈光华;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类晶体的物理性质;
关键词
异质结; 隙态密度; 晶硅; 电压法;

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