二维GeSe光电性质的第一性原理计算

范强; 青海银; 曹进; 杨建会

首页> 中文期刊> 《乐山师范学院学报》 >二维GeSe光电性质的第一性原理计算

二维GeSe光电性质的第一性原理计算

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

GeSe作为二维材料的新成员,近年来引起了人们的广泛关注.文章采用第一性原理方法,选取PBE泛函和HSE06杂化泛函,研究了二维GeSe材料的电子结构和光学性质.结果表明:二维GeSe是带隙为1.56 eV的间接带隙半导体,价带顶和导带底分别位于Γ-Y方向和Γ-X方向,价带主要由Ge-4p和Se-4p杂化而成,且价带顶边缘附近出现Ge-4s态,这对二维GeSe的电子结构有重要影响;从能带结构和态密度出发,系统研究了二维GeSe的折射、消光和吸收等光学性质;介电函数虚部的第一个峰值出现在2.15 eV,对应电子从第一个价带到第一个导带的跃迁,主要是电子从Ge-s、Se-pz态到Ge-px、py、pz态的跃迁.沿zigzag方向和armchair方向的静态介电常数分别为7.56和7.00.二维GeSe的吸收边缘在1200 nm左右,对可见光波有很强的吸收且具有较强的光偏振敏感性.研究结果表明GeSe在光学和光电子等领域极具应用潜力.

著录项

来源
《乐山师范学院学报》 |2021年第8期|1-619|共7页
作者
范强; 青海银; 曹进; 杨建会;
展开▼
作者单位

乐山师范学院电子与材料工程学院四川乐山614000;

乐山师范学院电子与材料工程学院四川乐山614000;

乐山师范学院数理学院四川乐山614000;

乐山师范学院数理学院四川乐山614000;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料结构及物理性质;功能材料;
关键词
二维GeSe; 电子结构; 光学性质; 第一性原理;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 二维BCN的新结构及光电性质的第一性原理研究 [J] . 濮春英 ,李春萍 ,吕林霞 . 发光学报 . 2020,第010期
2. Mg,N掺杂β-Ga_(2)O_(3)光电性质的第一性原理计算 [J] . 任姗姗 ,付小倩 ,赵贺 . 人工晶体学报 . 2022,第1期
3. Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算 [J] . 谢杰 ,张晋敏 ,冯磊 . 人工晶体学报 . 2020,第1期
4. 叠氮化钠晶体光电性质的第一性原理计算 [J] . 程和平 . 中国科技信息 . 2019,第012期
5. Co掺杂亚稳相γ-Bi_2O_3光电性质的第一性原理计算 [J] . 孙瑞民 ,贾晓硕 ,徐健强 . 广州化工 . 2018,第16期
6. 二维异质结构纳米摩擦性能的第一性原理研究 [C] . HAO Xiaoming ,郝潇鸣 ,WU Miaomiao . 中国矿业大学首届研究生教育发展论坛 . 2018
7. Ⅲ-Ⅴ族二维材料及其异质结光电性质第一性原理研究 [A] . 韩帅成 . 2021

二维GeSe光电性质的第一性原理计算

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅