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高能硅离子注入GaAs的晶格损伤研究

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用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在３５０℃高温和室温下以不同剂量注入ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温注入下，观察到ＣａＡｓ中存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相互平衡的剂量范围以及两种速率失去平衡时的临界剂量。用级联碰撞理论分析了所观察到的实验结果。

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来源
《鲁东大学学报（自然科学版）》 |1994年第2期|116-120|共5页
作者
万亚; 李岱青; 朱沛然; 徐天冰;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
离子注入; 晶格损伤; 硅; 砷化镓;

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