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SiCp/Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究

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摘要

通过利用TEM研究SiCp/Al-Si复合材料发现:SiC/Al界面结合紧密,在靠近SiC界面的Al基体中,有一层厚度小于1μm的"亚晶铝带", 它紧靠SiC表面形成, 与远离SiC的Al基体有几度的位向差;这种"亚晶铝带"在SiC/Al界面上普遍存在,其内有大量位错.

著录项

来源
《材料工程》 |2000年第3期|8-10|共3页
作者
隋贤栋; 罗承萍; 欧阳柳章; 骆灼旋;
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作者单位

华南理工大学,广州,510641;

华南理工大学,广州,510641;

华南理工大学,广州,510641;

华南理工大学,广州,510641;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金相分析（显微分析）;金属复合材料;
关键词
SiCp/Al-Si复合材料; SiC/Al界面; 亚晶铝带; 位错;

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