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刘正堂;
无;
机译:通过放电电流的低频调制提高dc反应溅射TiO2薄膜的沉积速率
机译:PLD制备的非羟基GEXC1-X薄膜的结构与性能
机译:使用陶瓷氮化物靶提高金属氧化物的反应溅射沉积速率
机译:高沉积速率下SiO_2和TiO_2反应溅射的薄膜均匀性的平衡控制
机译:沉积 和 氮化铟 的 表征和 氮化铝 薄膜的 反应溅射
机译:黑色TiOx薄膜具有通过反应溅射制备的光热辅助光催化活性
机译:在反应溅射中在蓝宝石(001)上生长的vo2薄膜中的持久性m2相 - 在反应溅射中的vo2薄膜中
机译:基体组成对反应溅射alN薄膜压电响应的影响;薄固体薄膜
机译:用磁控反应溅射沉积代替铬镀层制备高沉积速率的碳化钨薄膜的方法
机译:能够通过缩短源气体和反应气体之间的反应时间来提高沉积速率的薄膜制造装置以及使用该薄膜沉积薄膜的方法
机译:薄膜产品通过反应溅射-特别是用于均匀的高温。氧化物超导薄膜产品
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