等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展

李娜; 张儒静; 甄真; 许振华; 何利民

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等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展

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石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能.为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要.等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原位生长的优势,成为未来石墨烯制备方面较具潜力的发展方向之一.本文综述了PECVD技术制备石墨烯的发展,重点讨论了PECVD过程中等离子体能量、生长温度、生长基底和生长压力对石墨烯形核及生长的作用,概述了PECVD制备石墨烯的形核及聚结机制、刻蚀和边缘生长竞争两种不同机制,并指出PECVD技术制备石墨烯面临的挑战及发展.在未来的研究中,需突破对石墨烯形核及生长的控制,实现低温原位的大尺寸、高质量石墨烯薄膜的可控制备,为PECVD基石墨烯器件在电子等领域的应用奠定基础.

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来源
《材料工程》 |2020年第7期|36-44|共9页
作者
李娜; 张儒静; 甄真; 许振华; 何利民;
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作者单位

中国航发北京航空材料研究院北京100095;

北京石墨烯技术研究院有限公司北京100094;

中国航发北京航空材料研究院北京100095;

北京石墨烯技术研究院有限公司北京100094;

中国航发北京航空材料研究院北京100095;

北京石墨烯技术研究院有限公司北京100094;

中国航发北京航空材料研究院北京100095;

北京石墨烯技术研究院有限公司北京100094;

中国航发北京航空材料研究院北京100095;

北京石墨烯技术研究院有限公司北京100094;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类碳;
关键词
石墨烯; 等离子体增强化学气相沉积; 形核及生长; 生长机制;

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