采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较

著录项

• 来源
  《材料科学与工程学报》 |2014年第6期|787-791,802|共6页
• 作者

  周海飞; 龚谦; 王凯; 康传振; 严进一; 王庶民;

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• 作者单位

  中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050;

  中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050;

  中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050;

  曲阜师范大学,物理工程学院,山东曲阜273165;

  中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050;

  中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050;

  查尔姆斯理工大学,微米技术和纳米科学系,瑞典哥德堡41296;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 N304.1;
• 关键词

  分子束外延; InGaP; InAlP; 张应变Ge;