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静电放电对SCB起爆装置作用的数值模拟及实验研究

         

摘要

为了研究静电放电对半导体桥(SCB)起爆装置的作用机理,根据静电作用的特点,对SCB起爆装置进行静电放电实验,建立了电容放电的电-热分析模型,利用有限元分析软件AN-SYS对静电作用过程的温度场进行模拟仿真。扫描电镜观测和X射线能谱分析可知,半导体桥的尖角处电流密度最大,温度最高;静电通过焦耳热效应作用于SCB起爆装置,使得桥的尖角区域最先汽化损伤。研究结果可为SCB起爆装置的抗静电危害设计提供参考。

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