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一微秒週期的插件式磁心主存貯器

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本文说明了由于半导体工业技术的发展,使磁心存聍器在结构上产生重大革新——由原来的堆疊式磁心体结构发展为插件式结构及由此而带来的一系列的优越性。文中以在一个插件板上装有32K×2位容量的一微秒週期的存貯器的方案、系统结构及研制结果来说明这种构结是完全现实可行的。

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来源
《国防科技大学学报》 |1973年第14期|1-14|共14页
作者
陈福接;
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