射频功率对Cu/Ag导电薄膜结构和性能的影响

孙金池; 刘正堂; 李阳平; 冯丽萍; 张兴刚

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射频功率对Cu/Ag导电薄膜结构和性能的影响

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采用射频磁控溅射工艺以Cu/Ag合金为靶材在高阻半导体Cd1-xZnxTe上制备导电薄膜.系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜电阻率、组织形貌及接触性能的影响.结果表明,沉积速率随溅射功率的增加呈线性增加,薄膜电阻率随功率增大而增大.电流-电压关系(I-U)测试表明在高阻Cd1-xZnxTe上溅射Cu/Ag薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性,溅射功率为100W时的接触性能好于功率40 W时的接触性能.

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来源
《西北工业大学学报》 |2005年第6期|693-696|共4页
作者
孙金池; 刘正堂; 李阳平; 冯丽萍; 张兴刚;
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作者单位

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
射频磁控溅射; 溅射功率; Cu/Ag导电薄膜; 欧姆接触;

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