首页> 中文期刊> 《攀枝花学院学报》 >掺杂法制备低相变VO2技术进展

掺杂法制备低相变VO2技术进展

         

摘要

VO2是一种性能优异的金属-半导体相变材料,通过掺入其他杂质元素,能有效改变其相变温度和光、电性能,应用前景广阔。本文综述了掺杂原理,杂质对VO2电学性能和光学性能的影响、常用的掺杂方法及效果,这对进一步研发应用具有重要意义。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号