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陈冬丽;
攀枝花学院材料工程学院;
低相变VO2; 掺杂; 制备技术;
机译:热处理条件和Y掺杂对VO2粉体结构及相变温度的影响
机译:硼掺杂M相VO2纳米粒子,具有智能窗口的低金属 - 绝缘子相变温度
机译:EPR法掺杂VO2 +的car钠盐岩的相变
机译:通过离子束增强沉积形成钨和钽掺杂VO2多晶薄膜的相变特性
机译:真空下VO2薄膜异常高相变温度的系统表征
机译:钛(Ti4 +)掺杂对晶格畸变和电荷掺杂对VO2相变行为的影响
机译:利用VO2薄膜中的化学计量和共掺杂研究相变和控制相变温度和热滞后
机译:离子束溅射制备低掺杂sn掺杂In2O3(ITO)薄膜。
机译:原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制备卤化物掺杂源,原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜和卤化物的方法用该方法制成的掺杂氧化物薄膜
机译:掺杂的VO2粉末的制备
机译:使用VO2制备VO2(B)和非水二次电池2
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