选择性湿法刻蚀制备内嵌碳纳米管的沟槽结构

赵华波; 张朝晖

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选择性湿法刻蚀制备内嵌碳纳米管的沟槽结构

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提出一种"自下而上"的纳米结构的制备方法。在生长有碳纳米管的氧化硅表面沉积数纳米的钯金属膜后,用氢氟酸刻蚀,得到完全由碳纳米管引导的沟槽结构,并且碳纳米管沿沟槽分布在其底部。通过导电原子力显微镜对沟槽内的碳纳米管的表征,发现其仍然具有良好的导电性。在碳纳米管和钯金属膜之间增加一层磁控溅射沉积的氧化硅,可以增加沟槽的深宽比。通过降低钯金属膜的致密程度,沟槽的开口宽度可降至100 nm左右。该方法制备的结构可以进一步用来构建基于碳纳米管的纳电子器件。

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来源
《北京大学学报：自然科学版》 |2012年第3期|354-358|共5页
作者
赵华波; 张朝晖;
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作者单位

北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构;
关键词
碳纳米管; 钯; 湿法刻蚀; 沟槽;

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