用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度(英文)

张贺秋; 许铭真; 谭长华

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在均匀的高电场应力下 ,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变。这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的。在本文中 ,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度。得到了阈值电压和比例差分峰值 ,界面陷阱密度和应力时间的关系。此种方法也适用于PMOSFET器件。这是一个简单而快捷的技术。

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来源
《北京大学学报：自然科学版》 |2004年第3期|417-423|共7页
作者
张贺秋; 许铭真; 谭长华;
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作者单位

北京大学微电子研究院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类杂质和缺陷;
关键词
界面陷阱密度; 高电场应力; 比例差分; MOSFET;

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