MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文)

胡跃辉; 吴越颖; 陈光华; 王青; 张文理; 阴生毅

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为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A下能得到最大的沉积速率 ,但是沿样品台半径方向沉积速率呈现很明显的不均匀分布 .

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来源
《半导体学报》 |2004年第6期|613-619|共7页
作者
胡跃辉; 吴越颖; 陈光华; 王青; 张文理; 阴生毅;
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作者单位

北京工业大学材料学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非晶态半导体;
关键词
磁场梯度; 洛伦兹拟合; a-Si:H薄膜; 沉积速率; MwECR; CVD沉积系统;

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