基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成(英文)

张靖; 李宝霞; 赵玲娟; 王保军; 周帆; 朱洪亮; 边静; 王圩

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报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37 mA;100 mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3·5 mW;当使用单模光纤耦合(耦合效率15 %) ,调制器偏压在0 ^-2V之间时,静态消光比大于20dB;波长调谐范围为4·4nm,覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道.

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来源
《半导体学报》 |2005年第11期|2053-2057|共5页
作者
张靖; 李宝霞; 赵玲娟; 王保军; 周帆; 朱洪亮; 边静; 王圩;
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作者单位

中国科学院半导体研究所光电子技术国家研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器件;
关键词
可调谐激光器; 分布Bragg反射激光器; 电吸收调制器; 量子阱混杂; 选择区域生长;

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