纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型

何菊生; 张萌; 许彪; 唐建成

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纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型

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用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数.对大多数非故意掺杂样品,该模型值θChin与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明,三者具有较好的一致性.对掺Si样品及有氧或Si污染的非故意掺杂样品,基于Chin理论的补偿度值与普遍采用的实验拟合值常有一定偏差,通过理论计算及数值方法,得到了掺硅GaN补偿度的解析模型函数θSi,在室温载流子浓度3×1016~1018cm-3范围内,该模型值与普遍采用的实验拟合值符合得较好,与基于Chin理论的补偿度θChin也有很好的相容性.该模型对GaN材料分析及器件的计算机模拟、器件仿真有重要意义.

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来源
《半导体学报》 |2007年第7期|1041-1047|共7页
作者
何菊生; 张萌; 许彪; 唐建成;
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作者单位

南昌大学材料科学与工程学院;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
补偿度; GaN; 电子迁移率; 霍耳迁移率; 补偿受主;

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