硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制

马剑平; 卢刚; 雷天民; 陈治明

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硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制

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论述了从硅熔体中生长 3C- Si C晶体过程中 6 H- Si C晶型控制的一般原理 .采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成厚约 0 .2 m m的Si C薄层 .X射线衍射 (XRD)、X射线光电子能谱 (XPS)、Ram an散射等分析表明所制备样品为 3C- Si C多晶体 .实验结果进一步证明从硅熔体中生长 3C- Si C晶体过程中 ,通过适当调整工艺参数可以抑制 6 H- Si C晶型的形成 .

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来源
《半导体学报》 |2001年第6期|751-754|共4页
作者
马剑平; 卢刚; 雷天民; 陈治明;
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作者单位

西安理工大学电子工程系;

西安理工大学应用物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
硅熔体; 碳化硅; 抑制; 半导体材料; 生长;

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