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用离子注入控制形成多孔硅发光图形

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本文提出了一种形成多孔硅发光图形的方法。以淀积的Al作掩膜,通过硅自注入使样品选区非晶化。阳极处理使单晶区生成发光区,非晶区成为不发光区,形成多孔硅发光图形,分辨率达2μm。讨论了离子注入对多孔硅形成与发光的影响。

著录项

来源
《半导体学报》 |1993年第12期|771-773|共4页
作者
杨海强; 鲍希茂; 杨志锋; 洪建明;
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作者单位

南京大学物理系和固体微结构实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
多孔硅; 离子注入; 发光图形; 发光;

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