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自动张量低能电子衍射对GaAs()-(2×2)表面结构的研究

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本文通过对ＧａＡｓ（１１１）－（２×２）表面低能电子衍射（ＬＥＥＤ）Ｉ－Ｖ曲线的分析，首次定量地给出了该表面的复杂结构．结构的主要特征是Ａｓ三聚体单元吸附在表面Ｔ４位置并与下面的Ａｓ原子相键接，且表面存在较大的表面弛豫．对１０个非等价衍射束理论和实验强度曲线之间的比较得到很好的结果．

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来源
《半导体学报》 |1998年第12期|908-912|共5页
作者
邓丙成; 徐耕; 余招贤;
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作者单位

中山大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
砷化镓; 表面结构; LEED; 电子衍射;

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