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一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路

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提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了0.13μm1.2V/2.5VCMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.

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来源
《半导体学报》 |2005年第9期|1808-1812|共5页
作者
张剑云; 李建; 郭亚炜; 沈泊; 张卫;
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作者单位

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
开关电容电路; 导通电阻; MOS开关; 栅增压电路;

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