PDSOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响(英文)

赵洪辰; 海潮和; 韩郑生; 钱鹤

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PDSOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响(英文)

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在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PDSOInMOSFETs,并研究了浮体效应对辐照性能的影响 .在10 6rad(Si)总剂量辐照下 ,所有器件的亚阈特性未见明显变化 .环形栅器件的背栅阈值电压漂移比H型栅器件小33% ,其原因是碰撞电离使环形栅器件的体区电位升高 ,在埋氧化层中形成的电场减小了辐照产生的损伤 .浮体效应有利于改进器件的背栅抗辐照能力 .

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来源
《半导体学报》 |2005年第2期|234-237|共4页
作者
赵洪辰; 海潮和; 韩郑生; 钱鹤;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
浮体效应; 辐照; SOI;

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