界面极化效应对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结pin探测器光电响应的影响

周建军; 江若琏; 姬小利; 谢自立; 韩平; 张荣; 郑有炓

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设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法.

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来源
《半导体学报》 |2007年第6期|947-950|共4页
作者
周建军; 江若琏; 姬小利; 谢自立; 韩平; 张荣; 郑有炓;
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作者单位

南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
极化效应; AlGaN/GaN异质结; pin探测器;

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