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鲍立; 包军林; 庄奕琪;
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
RTS; 深亚微米; 边界陷阱; MOS器件; 可靠性;
机译:利用RTS噪声分析表征氮化工艺引起的N-MOSFET氧化物陷阱
机译:在亚微米MOSFET中确定负责随机电报信号的氧化物陷阱的位置的方法
机译:取决于n-MOSFET的GIDL电流中氧化物陷阱的随机电报噪声(RTN)的位置
机译:MOSFET中的RTS噪声:平均捕获时间和陷阱位置
机译:规模化MOSFET器件中的低频噪声和介电陷阱的表征和建模
机译:利用敏感性和不确定性分析检测材料疲劳试验中巴克森噪声随机性的方法
机译:栅氧化硅膜过渡层中的陷阱对低温性能下FD MOSFET特性的影响
机译:mOsFET中的1 / f噪声和氧化物陷阱
机译:薄栅氧化层MOSFET中界面陷阱的测量方法
机译:通过测量电流确定MOSFET的栅极氧化层击穿位置的方法
机译:利用MOSFET中的点击穿电流引起栅极氧化层损伤的局部热退火方法。
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