部分耗尽SOI MOSFETs中沟道的非对称掺杂效应(英文)

唐俊雄; 唐明华; 杨锋; 张俊杰; 周益春; 郑学军

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部分耗尽SOI MOSFETs中沟道的非对称掺杂效应(英文)

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利用二维模拟软件对部分耗尽SOI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.通过本文模拟发现部分耗尽SOI非对称掺杂沟道相比传统的部分耗尽SOI ,能抑制浮体效应,改善器件的击穿特性.同时跟已有的全耗尽SOI非对称掺杂器件相比,部分耗尽器件性能随参数变化,在工业应用上具有可预见性和可操作性.因为全耗尽器件具有非常薄的硅膜,而这将引起如前栅极跟背栅极的耦合效应和热电子退化等寄生效应.

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来源
《半导体学报》 |2008年第6期|1070-1074|共5页
作者
唐俊雄; 唐明华; 杨锋; 张俊杰; 周益春; 郑学军;
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作者单位

湘潭大学材料与光电物理学院;

低维材料及应用技术教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
AC部分耗尽SOI; MOSFETs; 输出特性; 击穿电压;

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