低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真

吴郁; 陆秀洪; 亢宝位; 王哲; 程序; 高琰

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低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真

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提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比

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来源
《半导体学报》 |2001年第12期|1565-1571|共7页
作者
吴郁; 陆秀洪; 亢宝位; 王哲; 程序; 高琰;
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作者单位

北京工业大学电子信息与控制学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
仿真; IGBT; 晶体管;

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