FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测

穆甫臣; 许铭真; 谭长华; 段小蓉

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通过对不同氧化层厚度的 N- MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究 ,发现栅电压漂移符合 Weibull分布 . Weibull分布统计分析表明 ,5 .0、 7.0和 9.0 nm器件在 2 7和 10 5℃下本征失效的形状因子相同 ,即本征失效的失效机制在高低温度下相同 .非本征失效的比例随温度升高而增大 .在此基础上得出平均寿命 (t50 )与加速电场E成指数关系 ,进而提出了器件的寿命预测方法 .此方法可预测超薄栅 N- MOSFET在

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来源
《半导体学报》 |2001年第12期|1577-1580|共4页
作者
穆甫臣; 许铭真; 谭长华; 段小蓉;
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作者单位

北京大学微电子所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
可靠性; 超薄栅MOSFET; 场效应晶体管; 统计特征; 寿命预测;

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