可用于GaAlAs／GaAs异质结发光器件应力设计的应力分布计算方法

机译：外延Si和Gd_2O_3异质结构：具有应力管理功能的分布式布拉格反射器，用于Si发光器件上的GaN

机译：GaAlAs / GaAs / GaAlAs二元异质结构的扫描光致发光

机译：扫描Gaalas / GaAs / Gaalas双异质结构的光致发光

机译：外延硅和Gd_2O_3异质结构-具有应力管理功能的分布式硅反射镜，用于硅发光器件上的GaN

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。

机译：变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应：光敏器件的表征和设计解决方案

机译：用于I2L集成电路的GaAlAs / GaAs双异质结双极晶体管（DHBT）的设计

机译：用于alxGa（1-x）as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征

机译：GaAs / GaAlAs异质结双极集成电路器件

机译：用于以低预应力进行操作的发光器件和异质结-光电晶体管的单片集成系统

机译：具有不同内在应力的应力刻蚀止动层与不同设计区域的不同设计的PN结相结合的半导体器件