Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响

著录项

• 来源
  《半导体学报》 |2005年第z1期|16-19|共4页
• 作者

  肖红领; 王晓亮; 韩勤; 王军喜; 张南红; 徐应强; 刘宏新; 曾一平; 李晋闽; 吴荣汉;

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• 作者单位

  中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083 中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083 中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083 中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083 中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083 中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083 中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083 中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083 中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083 中国科学院半导体研究所材料中心;

  北京;

  100083;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 化合物半导体;
• 关键词

  InN; RF-MBE; XRD;