n^+-i-n^+结构的电极附近结区电场对SCLC法确定薄a—Si:H膜隙态密度的影响──计算机模拟分析

林鸿生; 林臻

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将描述电极性质的结区电场选作n^+-i-n^+或(n^+-n-n^+)结构a—Si:H器件电流流动微分方程组的另一对边界条件,应用Runge-Kutta法由初值问题技术解微分方程组得到该器件J-V特性数值解。在此基础上,空间电荷限制电流(SCLC)法推导出不同厚度薄a—Si:H样品隙态密度,证实了其费米能级附近隙态密度G(E_F)随厚度减少而增加是电极附近结区电场引起的。

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来源
《半导体学报》 |1990年第4期|279-287|共9页
作者
林鸿生; 林臻;
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作者单位

中国科学技术大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非晶态半导体;
关键词
a-Si:H膜; 隙态密度; 结区电场; SCLC;

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1. 由表面光生电压实验确定a—Si：H中费米能级附近的隙态密度 [J] . 林鸿生 . 中国科学技术大学学报 . 1989,第002期

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