硅基光子材料和器件的进展

余金中; 王启明

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评述硅基光子材料和器件的进展,包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器,重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片,成功地研制出带有全内反射(TIR)镜的重排无阻塞型光开关阵列,并首次研制出16×16阻塞型光开关阵列.在1.55μm波段,插入损耗和偏振相关性随着器件长度的增加而略微增大.如果器件的末端镀上抗反射膜,插入损耗会降低2～3dB,这些器件的上升和下降时间分别为2.1和2.3μs.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|1-11|共11页
作者
余金中; 王启明;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

北京;

100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类波导光学与集成光学;
关键词
SOI; 光开关阵列; 光电二极管; 光互连;

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