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用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性

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利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释 .

著录项

来源
《半导体学报》 |2001年第9期|1127-1130|共4页
作者
熊卫华; 熊祖洪; 陆昉;
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作者单位

复旦大学应用表面物理国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
光电流谱; 多孔硅微腔; PL谱; 光电特性;

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