双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟(英文)

毕津顺; 吴峻峰; 海潮和

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提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱是通过剂量为3×1013cm-2,能量为250keV的磷离子注入实现的,并与n+前栅多晶硅直接相连.这项技术与体硅工艺完全兼容.通过Tsuprem4和Medici模拟,发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOSFET保持了传统全耗尽SOI nMOSFET的优势,消除了反常亚阈值斜率和kink效应,同时较传统全耗尽SOI nMOSFET有更加优秀的电流驱动能力和跨导特性.

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来源
《半导体学报》 |2006年第1期|35-40|共6页
作者
毕津顺; 吴峻峰; 海潮和;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
双栅结构; 动态阈值; 全耗尽绝缘体上硅; nMOS场效应晶体管;

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