键合法制备硅基1.55μmInP-InGaAsP量子阱激光器

于丽娟; 赵洪泉; 杜云; 黄永箴

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在硅基上成功地制备出了1.55μmInPInGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InPInGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.

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来源
《半导体学报》 |2006年第4期|741-743|共3页
作者
于丽娟; 赵洪泉; 杜云; 黄永箴;
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作者单位

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
直接键合; 长波长激光器; 硅基; 量子阱激光器;

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