立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜

孙一军; 李爱珍; 齐鸣

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立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制备出了 Ga N薄膜 . XRD测试表明 ,薄膜具有单一的相 .结合对工艺条件的分析 ,认为薄膜具有六方结构 .最后 ,通过 Raman光谱测试 ,证实在立方 Ga As衬底上制备出了单相六方 Ga N薄膜 .还对立方 Ga As衬底上制备出六方 Ga

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来源
《半导体学报》 |2001年第3期|313-316|共4页
作者
孙一军; 李爱珍; 齐鸣;
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作者单位

中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
金属有机化学气相沉积; 氮化镓; 砷化镓衬底; 薄膜;

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